Установка высокочастотная «Кристалл 502»

Установка высокочастотная «Кристалл 502» для группового выращивания кремниевых прутков-подложек диаметром (4—6) мм и длиной до 2000 мм с использованием электродинамического воздействия поля индуктора на расплав. Установка предназначена для оснащения цехов, производящих поликристаллический кремний.

Технические характеристики:

Кол-во одновременно выращиваемых прутков, шт ……….. 5
Длина выращиваемых прутков, мм, не менее ………………… 2000
Диаметр выращиваемых прутков, мм, в пределах ……….… 4—6
Мощность колебательная, кВт, не менее …………………….… 25±2,5
Мощность потребляемая, кВт,не более ……………………….… 40
Частота рабочая,М Гц …………………………………………………….. 1,76±0,044
Напряжение питающей сети, В ……………….……………………… 380
Габаритные размеры …………………………………………………….… 2100×1400×4050
Расход охлаждающей воды, м³/ч, не менее …………………… 5
Масса, кг, не более ………………………………………………………….. 3000

 

<< назад